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《固体电子学研究与进展》2023年02期
 
更新日期:2023-10-18   来源:固体电子学研究与进展   浏览次数:123   在线投稿
 
 

核心提示:目录特邀稿件晶体管级异质集成技术及其典型应用陈堂胜;戴家赟;吴立枢;孔月婵;周书同;齐志央;钟世昌;凌志健;95-100射频三维微纳集

 
目录
特邀稿件
晶体管级异质集成技术及其典型应用陈堂胜;戴家赟;吴立枢;孔月婵;周书同;齐志央;钟世昌;凌志健;95-100
射频三维微纳集成技术朱健;郁元卫;刘鹏飞;黄旼;陈辰;101-107+120
GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;108-120
GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述彭龙新;邹文静;孔令峥;张占龙;121-135
GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障林罡;136-146
基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC同质外延技术进展赵志飞;王翼;周平;李士颜;陈谷然;李赟;147-157
晶圆级柔性高性能GaN HEMT及InP HBT器件戴家赟;陈鑫;王登贵;吴立枢;周建军;王飞;孔月婵;陈堂胜;158-162+174
射频微波与太赫兹
一种40 GSa/s超宽带采样保持电路罗宁;周猛;张有涛;叶庆国;163-167
基于SIP模块的瓦片式有源阵列天线的一体化设计徐梦苑;刘麒;汤君坦;韦逸;魏紫东;168-174
基于多物理场仿真的超宽带大功率电桥设计陈晓青;朱建彬;成爱强;顾黎明;175-180
X波段双模功率MMIC设计刘新宇;郭润楠;张斌;181-186
光电子学
多通道薄膜铌酸锂阵列波导光栅研制王琛全;何晓舟;王子彦;钱坤;顾晓文;唐杰;钱广;187-190
材料与工艺
高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料生长及特性研究罗伟科;李忠辉;李传皓;杨乾坤;李亮;董逊;彭大青;张东国;191-196
研究简讯
超薄多通道射频光接收组件唐杰;王琛全;钱广;孔月婵;陈堂胜;197
主编寄语92
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